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厂商型号

SQ2361EES-T1-GE3 

产品描述

MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

内部编号

5-SQ2361EES-T1-GE3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

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SQ2361EES-T1-GE3产品详细规格

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SQ2361EES
SQ2361EES-T1-GE3 datasheet 规格书
SQ2361EES-T1-GE3 datasheet 规格书
SQ2361EES-T1-GE3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 150 mOhm @ 2.4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 545pF @ 30V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)

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